R6030JNZ4C13

MÄRKUS: ROHM Semiconductor R6030JNZ4C13 on saadaval aadressil chipnets.com. Müüme ainult uut ja originaalosa ning pakume 1-aastast garantiiaega. Kui soovite toodete kohta rohkem teada saada või taotleda paremat hinda, võtke meiega ühendust, klõpsake veebivestlusel või saatke meile hinnapakkumine.

Kõik Eelctronicsi komponendid pakitakse ESD antistaatilise kaitse abil väga turvaliselt sisse.

package

Spetsifikatsioon

Tüüp	Kirjeldus
Seeria	-
Pakett	Tube
Osa olek	Active
FET tüüp	N-Channel
Tehnoloogia	MOSFET (Metal Oxide)
Alalisvoolu pinge (Vdss)	600 V
Vool - pidev äravool (Id) @ 25 ° C	30A (Tc)
Ajami pinge (Max Rds On, Min Rds On)	15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	143mOhm @ 15A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id	7V @ 5.5mA
Värava laadimine (Qg) (max) @ Vgs	74 nC @ 15 V
Vgs (max)	±30V
Sisendi mahtuvus (kiss) (max) @ Vds	2500 pF @ 100 V
FET funktsioon	-
Võimsuse hajumine (max)	370W (Tc)
Töötemperatuur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp	Through Hole
Tarnija seadme pakett	TO-247G
Pakend / karp	TO-247-3

OSTUVÕIMALUSED

Laoseis: 600

Minimaalne: 1

Kogus	Ühiku hind	Ext. Hind
Hind ei ole saadaval, palun RFQ

Veosearvestus

40 USA dollarit FedExilt.

Kohale 3-5 päevaga

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Tasuta kohaletoimetamine esimesel 0,5 kg tellimustel üle 150 $, ülekaal tuleb tasuda eraldi

Populaarsed mudelid

See toode on lisatud teie ostukorvi.