R6030ENZ1C9

MÄRKUS: ROHM Semiconductor R6030ENZ1C9 on saadaval aadressil chipnets.com. Müüme ainult uut ja originaalosa ning pakume 1-aastast garantiiaega. Kui soovite toodete kohta rohkem teada saada või taotleda paremat hinda, võtke meiega ühendust, klõpsake veebivestlusel või saatke meile hinnapakkumine.

Kõik Eelctronicsi komponendid pakitakse ESD antistaatilise kaitse abil väga turvaliselt sisse.

package

Spetsifikatsioon

Tüüp	Kirjeldus
Seeria	-
Pakett	Tube
Osa olek	Obsolete
FET tüüp	N-Channel
Tehnoloogia	MOSFET (Metal Oxide)
Alalisvoolu pinge (Vdss)	600 V
Vool - pidev äravool (Id) @ 25 ° C	30A (Tc)
Ajami pinge (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	130mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Värava laadimine (Qg) (max) @ Vgs	85 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Sisendi mahtuvus (kiss) (max) @ Vds	2100 pF @ 25 V
FET funktsioon	-
Võimsuse hajumine (max)	120W (Tc)
Töötemperatuur	150°C (TJ)
Paigaldus tüüp	Through Hole
Tarnija seadme pakett	TO-247
Pakend / karp	TO-247-3

OSTUVÕIMALUSED

Laoseis: 93

Minimaalne: 1

Kogus	Ühiku hind	Ext. Hind
Hind ei ole saadaval, palun RFQ

Veosearvestus

40 USA dollarit FedExilt.

Kohale 3-5 päevaga

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Tasuta kohaletoimetamine esimesel 0,5 kg tellimustel üle 150 $, ülekaal tuleb tasuda eraldi

Populaarsed mudelid

See toode on lisatud teie ostukorvi.