BAS316,H3F

Tootja osa number:	BAS316,H3F
Tootja:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Osa kirjeldusest:	DIODE GEN PURP 100V 250MA USC
Andmelehed:	BAS316,H3F Andmelehed
Pliivaba olek / RoHS staatus:	Pliivaba / RoHS-iga ühilduv
Laoseis:	Laos
Saatmiskoht:	Hong Kong
Saatmisviis:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

MÄRKUS: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation BAS316,H3F on saadaval aadressil chipnets.com. Müüme ainult uut ja originaalosa ning pakume 1-aastast garantiiaega. Kui soovite toodete kohta rohkem teada saada või taotleda paremat hinda, võtke meiega ühendust, klõpsake veebivestlusel või saatke meile hinnapakkumine.

Kõik Eelctronicsi komponendid pakitakse ESD antistaatilise kaitse abil väga turvaliselt sisse.

package

Spetsifikatsioon

Tüüp	Kirjeldus
Seeria	-
Pakett	Tape & Reel (TR)
Osa olek	Active
Dioodi tüüp	Standard
Pinge - alalisvoolu tagasikäik (Vr) (max)	100 V
Praegune - keskmine parandatud (Io)	250mA
Pinge - edasi (Vf) (max) @ kui	1.25 V @ 150 mA
Kiirus	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Pöördtaastumise aeg (trr)	3 ns
Vool - vastupidine leke @ Vr	200 nA @ 80 V
Mahtuvus @ Vr, F	0.35pF @ 0V, 1MHz
Paigaldus tüüp	Surface Mount
Pakend / karp	SC-76, SOD-323
Tarnija seadme pakett	USC
Töötemperatuur - ristmik	150°C (Max)

OSTUVÕIMALUSED

Laoseis: Kohaletoimetamine samal päeval

Minimaalne: 1

Kogus	Ühiku hind	Ext. Hind
Hind ei ole saadaval, palun RFQ

Veosearvestus

40 USA dollarit FedExilt.

Kohale 3-5 päevaga

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Tasuta kohaletoimetamine esimesel 0,5 kg tellimustel üle 150 $, ülekaal tuleb tasuda eraldi

Populaarsed mudelid

	BAS321/8X Nexperia
	BAS382-TR3 Vishay General Semiconductor – Diodes Division
	BAS321,115 Nexperia
	BAS386-TR3 Vishay General Semiconductor – Diodes Division
	BAS316,135 Nexperia
	BAS316 RRG TSC (Taiwan Semiconductor)
	BAS34-TR Vishay General Semiconductor – Diodes Division
	BAS316,115 Nexperia
	BAS316Z Nexperia
	BAS 3005A-02V E6327 IR (Infineon Technologies)

See toode on lisatud teie ostukorvi.