BYV26E

MÄRKUS: EIC Semiconductor, Inc. BYV26E on saadaval aadressil chipnets.com. Müüme ainult uut ja originaalosa ning pakume 1-aastast garantiiaega. Kui soovite toodete kohta rohkem teada saada või taotleda paremat hinda, võtke meiega ühendust, klõpsake veebivestlusel või saatke meile hinnapakkumine.

Kõik Eelctronicsi komponendid pakitakse ESD antistaatilise kaitse abil väga turvaliselt sisse.

package

Spetsifikatsioon

Tüüp	Kirjeldus
Seeria	-
Pakett	Bag
Osa olek	Active
Dioodi tüüp	Avalanche
Pinge - alalisvoolu tagasikäik (Vr) (max)	1000 V
Praegune - keskmine parandatud (Io)	1A
Pinge - edasi (Vf) (max) @ kui	2.5 V @ 1 A
Kiirus	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Pöördtaastumise aeg (trr)	75 ns
Vool - vastupidine leke @ Vr	5 µA @ 1000 V
Mahtuvus @ Vr, F	-
Paigaldus tüüp	Through Hole
Pakend / karp	DO-204AL, DO-41, Axial
Tarnija seadme pakett	DO-41
Töötemperatuur - ristmik	-65°C ~ 175°C

OSTUVÕIMALUSED

Laoseis: 1000

Minimaalne: 1

Kogus	Ühiku hind	Ext. Hind
Hind ei ole saadaval, palun RFQ

Veosearvestus

40 USA dollarit FedExilt.

Kohale 3-5 päevaga

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Tasuta kohaletoimetamine esimesel 0,5 kg tellimustel üle 150 $, ülekaal tuleb tasuda eraldi

Populaarsed mudelid

	BYV28-150-TR Vishay General Semiconductor – Diodes Division
	BYV28-100-TAP Vishay General Semiconductor – Diodes Division
	BYV29-400,127 WeEn Semiconductors Co., Ltd
	BYV29FX-600,127 WeEn Semiconductors Co., Ltd
	BYV29B-600PJ WeEn Semiconductors Co., Ltd
	BYV29F-600,127 Rochester Electronics
	BYV26B-TR Vishay General Semiconductor – Diodes Division
	BYV26EGP-E3/54 Vishay General Semiconductor – Diodes Division
	BYV26B-TAP Vishay General Semiconductor – Diodes Division
	BYV29FD-600,118 Rochester Electronics

See toode on lisatud teie ostukorvi.