IR (Infineon Technologies) / DF200R12W1H3B27BOMA1
Pilt on viitamiseks, tegeliku pildi saamiseks võtke meiega ühendust
DF200R12W1H3B27BOMA1
| Tootja osa number: | DF200R12W1H3B27BOMA1 |
| Tootja: | IR (Infineon Technologies) |
| Osa kirjeldusest: | IGBT MOD 1200V 30A 375W |
| Andmelehed: | DF200R12W1H3B27BOMA1 Andmelehed |
| Pliivaba olek / RoHS staatus: | Pliivaba / RoHS-iga ühilduv |
| Laoseis: | Laos |
| Saatmiskoht: | Hong Kong |
| Saatmisviis: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- MÄRKUS
- IR (Infineon Technologies) DF200R12W1H3B27BOMA1 on saadaval aadressil chipnets.com. Müüme ainult uut ja originaalosa ning pakume 1-aastast garantiiaega. Kui soovite toodete kohta rohkem teada saada või taotleda paremat hinda, võtke meiega ühendust, klõpsake veebivestlusel või saatke meile hinnapakkumine.
Kõik Eelctronicsi komponendid pakitakse ESD antistaatilise kaitse abil väga turvaliselt sisse.
Spetsifikatsioon
| Tüüp | Kirjeldus |
|---|---|
| Seeria | - |
| Pakett | Bulk |
| Osa olek | Active |
| IGBT tüüp | - |
| Konfiguratsioon | 2 Independent |
| Pinge - kollektori emitteri jaotus (max) | 1200 V |
| Praegune - koguja (Ic) (max) | 30 A |
| Võimsus - max | 375 W |
| Vce (sees) (Max) @ Vge, Ic | 1.3V @ 15V, 30A |
| Praegune - kollektori piiraja (max) | 1 mA |
| Sisendi mahtuvus (Cies) @ Vce | 2 nF @ 25 V |
| Sisend | Standard |
| NTC termistor | Yes |
| Töötemperatuur | -40°C ~ 150°C |
| Paigaldus tüüp | Chassis Mount |
| Pakend / karp | Module |
| Tarnija seadme pakett | Module |
Laoseis: Kohaletoimetamine samal päeval
Minimaalne: 1
| Kogus | Ühiku hind | Ext. Hind |
|---|---|---|
Hind ei ole saadaval, palun RFQ |
||
Veosearvestus
40 USA dollarit FedExilt.
Kohale 3-5 päevaga
Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Tasuta kohaletoimetamine esimesel 0,5 kg tellimustel üle 150 $, ülekaal tuleb tasuda eraldi
Populaarsed mudelid
 |
Rochester Electronics |
 |
IR (Infineon Technologies) |
 |
IR (Infineon Technologies) |
 |
IR (Infineon Technologies) |
|
IR (Infineon Technologies) |
Lisatud ostukorvi!
See toode on lisatud teie ostukorvi.