NGB8207ABNT4G

Tootja osa number:	NGB8207ABNT4G
Tootja:	Rochester Electronics
Osa kirjeldusest:	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Andmelehed:	NGB8207ABNT4G Andmelehed
Pliivaba olek / RoHS staatus:	Pliivaba / RoHS-iga ühilduv
Laoseis:	Laos
Saatmiskoht:	Hong Kong
Saatmisviis:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

MÄRKUS: Rochester Electronics NGB8207ABNT4G on saadaval aadressil chipnets.com. Müüme ainult uut ja originaalosa ning pakume 1-aastast garantiiaega. Kui soovite toodete kohta rohkem teada saada või taotleda paremat hinda, võtke meiega ühendust, klõpsake veebivestlusel või saatke meile hinnapakkumine.

Kõik Eelctronicsi komponendid pakitakse ESD antistaatilise kaitse abil väga turvaliselt sisse.

package

Spetsifikatsioon

Tüüp	Kirjeldus
Seeria	-
Pakett	Bulk
Osa olek	Active
IGBT tüüp	-
Pinge - kollektori emitteri jaotus (max)	365 V
Praegune - koguja (Ic) (max)	20 A
Praegune - kollektori impulss (Icm)	50 A
Vce (sees) (Max) @ Vge, Ic	2.2V @ 3.7V, 10A
Võimsus - max	165 W
Energia vahetamine	-
Sisendi tüüp	Logic
Väravalaeng	-
Td (sisse / välja) @ 25 ° C	-
Katse tingimus	-
Pöördtaastumise aeg (trr)	-
Töötemperatuur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Paigaldus tüüp	Surface Mount
Pakend / karp	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tarnija seadme pakett	D2PAK

OSTUVÕIMALUSED

Laoseis: 31696

Minimaalne: 1

Kogus	Ühiku hind	Ext. Hind
Hind ei ole saadaval, palun RFQ

Veosearvestus

40 USA dollarit FedExilt.

Kohale 3-5 päevaga

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Tasuta kohaletoimetamine esimesel 0,5 kg tellimustel üle 150 $, ülekaal tuleb tasuda eraldi

Populaarsed mudelid

	NGB8207NT4G Rochester Electronics
	NGB8204ANT4G Rochester Electronics
	NGB8206NT4 Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	NGB8206NSL3 Rochester Electronics
	NGB8207ABNT4G Rochester Electronics
	NGB8204NT4 Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	NGB8207BNT4G Rochester Electronics
	NGB8202ANT4G Wickmann / Littelfuse
	NGB8206ANTF4G Rochester Electronics
	NGB8206NSL3G Rochester Electronics

See toode on lisatud teie ostukorvi.