TPS1100DR

MÄRKUS: Rochester Electronics TPS1100DR on saadaval aadressil chipnets.com. Müüme ainult uut ja originaalosa ning pakume 1-aastast garantiiaega. Kui soovite toodete kohta rohkem teada saada või taotleda paremat hinda, võtke meiega ühendust, klõpsake veebivestlusel või saatke meile hinnapakkumine.

Kõik Eelctronicsi komponendid pakitakse ESD antistaatilise kaitse abil väga turvaliselt sisse.

package

Spetsifikatsioon

Tüüp	Kirjeldus
Seeria	-
Pakett	Bulk
Osa olek	Active
FET tüüp	P-Channel
Tehnoloogia	MOSFET (Metal Oxide)
Alalisvoolu pinge (Vdss)	15 V
Vool - pidev äravool (Id) @ 25 ° C	1.6A (Ta)
Ajami pinge (Max Rds On, Min Rds On)	2.7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	180mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Värava laadimine (Qg) (max) @ Vgs	5.45 nC @ 10 V
Vgs (max)	+2V, -15V
Sisendi mahtuvus (kiss) (max) @ Vds	-
FET funktsioon	-
Võimsuse hajumine (max)	791mW (Ta)
Töötemperatuur	-40°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp	Surface Mount
Tarnija seadme pakett	8-SOIC
Pakend / karp	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

OSTUVÕIMALUSED

Laoseis: 1064

Minimaalne: 1

Kogus	Ühiku hind	Ext. Hind
Hind ei ole saadaval, palun RFQ

Veosearvestus

40 USA dollarit FedExilt.

Kohale 3-5 päevaga

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Tasuta kohaletoimetamine esimesel 0,5 kg tellimustel üle 150 $, ülekaal tuleb tasuda eraldi

Populaarsed mudelid

	TPS1100D Texas Instruments
	TPS1100PW Texas Instruments
	TPS1101PWR Rochester Electronics
	TPS1100PWR Rochester Electronics
	TPS1101DR Texas Instruments
	TPS1101D Texas Instruments
	TPS1100DR Rochester Electronics

See toode on lisatud teie ostukorvi.