IPB35N12S3L26ATMA1

MÄRKUS: Rochester Electronics IPB35N12S3L26ATMA1 on saadaval aadressil chipnets.com. Müüme ainult uut ja originaalosa ning pakume 1-aastast garantiiaega. Kui soovite toodete kohta rohkem teada saada või taotleda paremat hinda, võtke meiega ühendust, klõpsake veebivestlusel või saatke meile hinnapakkumine.

Kõik Eelctronicsi komponendid pakitakse ESD antistaatilise kaitse abil väga turvaliselt sisse.

package

Spetsifikatsioon

Tüüp	Kirjeldus
Seeria	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Pakett	Bulk
Osa olek	Active
FET tüüp	N-Channel
Tehnoloogia	MOSFET (Metal Oxide)
Alalisvoolu pinge (Vdss)	120 V
Vool - pidev äravool (Id) @ 25 ° C	35A (Tc)
Ajami pinge (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	26.3mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 39µA
Värava laadimine (Qg) (max) @ Vgs	30 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Sisendi mahtuvus (kiss) (max) @ Vds	2700 pF @ 25 V
FET funktsioon	-
Võimsuse hajumine (max)	71W (Tc)
Töötemperatuur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Paigaldus tüüp	Surface Mount
Tarnija seadme pakett	PG-TO263-3-2
Pakend / karp	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

OSTUVÕIMALUSED

Laoseis: 23000

Minimaalne: 1

Kogus	Ühiku hind	Ext. Hind
Hind ei ole saadaval, palun RFQ

Veosearvestus

40 USA dollarit FedExilt.

Kohale 3-5 päevaga

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Tasuta kohaletoimetamine esimesel 0,5 kg tellimustel üle 150 $, ülekaal tuleb tasuda eraldi

Populaarsed mudelid

	IPB35N10S3L26ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPB320N20N3GATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPB34CN10NGATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPB35N12S3L26ATMA1 Rochester Electronics

See toode on lisatud teie ostukorvi.