GeneSiC Semiconductor / GA20JT12-263
Pilt on viitamiseks, tegeliku pildi saamiseks võtke meiega ühendust
GA20JT12-263
| Tootja osa number: | GA20JT12-263 |
| Tootja: | GeneSiC Semiconductor |
| Osa kirjeldusest: | TRANS SJT 1200V 45A D2PAK |
| Andmelehed: | GA20JT12-263 Andmelehed |
| Pliivaba olek / RoHS staatus: | Pliivaba / RoHS-iga ühilduv |
| Laoseis: | Laos |
| Saatmiskoht: | Hong Kong |
| Saatmisviis: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- MÄRKUS
- GeneSiC Semiconductor GA20JT12-263 on saadaval aadressil chipnets.com. Müüme ainult uut ja originaalosa ning pakume 1-aastast garantiiaega. Kui soovite toodete kohta rohkem teada saada või taotleda paremat hinda, võtke meiega ühendust, klõpsake veebivestlusel või saatke meile hinnapakkumine.
Kõik Eelctronicsi komponendid pakitakse ESD antistaatilise kaitse abil väga turvaliselt sisse.
Spetsifikatsioon
| Tüüp | Kirjeldus |
|---|---|
| Seeria | - |
| Pakett | Tube |
| Osa olek | Active |
| FET tüüp | - |
| Tehnoloogia | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Alalisvoolu pinge (Vdss) | 1200 V |
| Vool - pidev äravool (Id) @ 25 ° C | 45A (Tc) |
| Ajami pinge (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 20A |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Värava laadimine (Qg) (max) @ Vgs | - |
| Vgs (max) | - |
| Sisendi mahtuvus (kiss) (max) @ Vds | 3091 pF @ 800 V |
| FET funktsioon | - |
| Võimsuse hajumine (max) | 282W (Tc) |
| Töötemperatuur | 175°C (TJ) |
| Paigaldus tüüp | Surface Mount |
| Tarnija seadme pakett | D2PAK (7-Lead) |
| Pakend / karp | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
Laoseis: 134
Minimaalne: 1
| Kogus | Ühiku hind | Ext. Hind |
|---|---|---|
Hind ei ole saadaval, palun RFQ |
||
Veosearvestus
40 USA dollarit FedExilt.
Kohale 3-5 päevaga
Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Tasuta kohaletoimetamine esimesel 0,5 kg tellimustel üle 150 $, ülekaal tuleb tasuda eraldi
Populaarsed mudelid
 |
GeneSiC Semiconductor |
 |
GeneSiC Semiconductor |
 |
GeneSiC Semiconductor |
Lisatud ostukorvi!
See toode on lisatud teie ostukorvi.