FDFMA2P859T

MÄRKUS: Rochester Electronics FDFMA2P859T on saadaval aadressil chipnets.com. Müüme ainult uut ja originaalosa ning pakume 1-aastast garantiiaega. Kui soovite toodete kohta rohkem teada saada või taotleda paremat hinda, võtke meiega ühendust, klõpsake veebivestlusel või saatke meile hinnapakkumine.

Kõik Eelctronicsi komponendid pakitakse ESD antistaatilise kaitse abil väga turvaliselt sisse.

package

Spetsifikatsioon

Tüüp	Kirjeldus
Seeria	PowerTrench®
Pakett	Bulk
Osa olek	Obsolete
FET tüüp	P-Channel
Tehnoloogia	MOSFET (Metal Oxide)
Alalisvoolu pinge (Vdss)	20 V
Vool - pidev äravool (Id) @ 25 ° C	3A (Ta)
Ajami pinge (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	120mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.3V @ 250µA
Värava laadimine (Qg) (max) @ Vgs	6 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±8V
Sisendi mahtuvus (kiss) (max) @ Vds	435 pF @ 10 V
FET funktsioon	Schottky Diode (Isolated)
Võimsuse hajumine (max)	1.4W (Ta)
Töötemperatuur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp	Surface Mount
Tarnija seadme pakett	MicroFET 2x2 Thin
Pakend / karp	6-UDFN Exposed Pad

OSTUVÕIMALUSED

Laoseis: 14392

Minimaalne: 1

Kogus	Ühiku hind	Ext. Hind
Hind ei ole saadaval, palun RFQ

Veosearvestus

40 USA dollarit FedExilt.

Kohale 3-5 päevaga

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Tasuta kohaletoimetamine esimesel 0,5 kg tellimustel üle 150 $, ülekaal tuleb tasuda eraldi

Populaarsed mudelid

	FDFME2P823ZT Rochester Electronics
	FDFMA2N028Z Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FDFM2N111 Rochester Electronics
	FDFMA3P029Z Rochester Electronics
	FDFMJ2P023Z Rochester Electronics
	FDFMA2P859T Rochester Electronics
	FDFME3N311ZT Rochester Electronics
	FDFMA2P029Z Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FDFMA2P029Z-F106 Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FDFMA2P853 Rochester Electronics

See toode on lisatud teie ostukorvi.