IPD26N06S2L35ATMA1

MÄRKUS: Rochester Electronics IPD26N06S2L35ATMA1 on saadaval aadressil chipnets.com. Müüme ainult uut ja originaalosa ning pakume 1-aastast garantiiaega. Kui soovite toodete kohta rohkem teada saada või taotleda paremat hinda, võtke meiega ühendust, klõpsake veebivestlusel või saatke meile hinnapakkumine.

Kõik Eelctronicsi komponendid pakitakse ESD antistaatilise kaitse abil väga turvaliselt sisse.

package

Spetsifikatsioon

Tüüp	Kirjeldus
Seeria	OptiMOS™
Pakett	Bulk
Osa olek	Active
FET tüüp	N-Channel
Tehnoloogia	MOSFET (Metal Oxide)
Alalisvoolu pinge (Vdss)	55 V
Vool - pidev äravool (Id) @ 25 ° C	30A (Tc)
Ajami pinge (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 26µA
Värava laadimine (Qg) (max) @ Vgs	24 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Sisendi mahtuvus (kiss) (max) @ Vds	621 pF @ 25 V
FET funktsioon	-
Võimsuse hajumine (max)	68W (Tc)
Töötemperatuur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Paigaldus tüüp	Surface Mount
Tarnija seadme pakett	PG-TO252-3
Pakend / karp	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

OSTUVÕIMALUSED

Laoseis: Kohaletoimetamine samal päeval

Minimaalne: 1

Kogus	Ühiku hind	Ext. Hind
Hind ei ole saadaval, palun RFQ

Veosearvestus

40 USA dollarit FedExilt.

Kohale 3-5 päevaga

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Tasuta kohaletoimetamine esimesel 0,5 kg tellimustel üle 150 $, ülekaal tuleb tasuda eraldi

Populaarsed mudelid

	IPD20N03L G IR (Infineon Technologies)
	IPD230N06NGBTMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPD25CN10NGBUMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPD25CN10NGATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPD200N15N3GBTMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPD25DP06LMSAUMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPD250N06N3GBTMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPD220N06L3GBTMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPD20N03L IR (Infineon Technologies)
	IPD26N06S2L35ATMA1 Rochester Electronics

See toode on lisatud teie ostukorvi.