GA10SICP12-263

MÄRKUS: GeneSiC Semiconductor GA10SICP12-263 on saadaval aadressil chipnets.com. Müüme ainult uut ja originaalosa ning pakume 1-aastast garantiiaega. Kui soovite toodete kohta rohkem teada saada või taotleda paremat hinda, võtke meiega ühendust, klõpsake veebivestlusel või saatke meile hinnapakkumine.

Kõik Eelctronicsi komponendid pakitakse ESD antistaatilise kaitse abil väga turvaliselt sisse.

package

Spetsifikatsioon

Tüüp	Kirjeldus
Seeria	-
Pakett	Tube
Osa olek	Active
FET tüüp	-
Tehnoloogia	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Alalisvoolu pinge (Vdss)	1200 V
Vool - pidev äravool (Id) @ 25 ° C	25A (Tc)
Ajami pinge (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100mOhm @ 10A
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Värava laadimine (Qg) (max) @ Vgs	-
Vgs (max)	-
Sisendi mahtuvus (kiss) (max) @ Vds	1403 pF @ 800 V
FET funktsioon	-
Võimsuse hajumine (max)	170W (Tc)
Töötemperatuur	175°C (TJ)
Paigaldus tüüp	Surface Mount
Tarnija seadme pakett	D2PAK (7-Lead)
Pakend / karp	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

OSTUVÕIMALUSED

Laoseis: Kohaletoimetamine samal päeval

Minimaalne: 1

Kogus	Ühiku hind	Ext. Hind
Hind ei ole saadaval, palun RFQ

Veosearvestus

40 USA dollarit FedExilt.

Kohale 3-5 päevaga

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Tasuta kohaletoimetamine esimesel 0,5 kg tellimustel üle 150 $, ülekaal tuleb tasuda eraldi

Populaarsed mudelid

	GA100JT17-227 GeneSiC Semiconductor
	GA10SICP12-263 GeneSiC Semiconductor
	GA10JT12-247 GeneSiC Semiconductor
	GA10JT12-263 GeneSiC Semiconductor
	GA100JT12-227 GeneSiC Semiconductor

See toode on lisatud teie ostukorvi.