SIHU2N80E-GE3

MÄRKUS: Vishay / Siliconix SIHU2N80E-GE3 on saadaval aadressil chipnets.com. Müüme ainult uut ja originaalosa ning pakume 1-aastast garantiiaega. Kui soovite toodete kohta rohkem teada saada või taotleda paremat hinda, võtke meiega ühendust, klõpsake veebivestlusel või saatke meile hinnapakkumine.

Kõik Eelctronicsi komponendid pakitakse ESD antistaatilise kaitse abil väga turvaliselt sisse.

package

Spetsifikatsioon

Tüüp	Kirjeldus
Seeria	E
Pakett	Tube
Osa olek	Active
FET tüüp	N-Channel
Tehnoloogia	MOSFET (Metal Oxide)
Alalisvoolu pinge (Vdss)	800 V
Vool - pidev äravool (Id) @ 25 ° C	2.8A (Tc)
Ajami pinge (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.75Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Värava laadimine (Qg) (max) @ Vgs	19.6 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Sisendi mahtuvus (kiss) (max) @ Vds	315 pF @ 100 V
FET funktsioon	-
Võimsuse hajumine (max)	62.5W (Tc)
Töötemperatuur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp	Through Hole
Tarnija seadme pakett	IPAK (TO-251)
Pakend / karp	TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB

OSTUVÕIMALUSED

Laoseis: 3037

Minimaalne: 1

Kogus	Ühiku hind	Ext. Hind
Hind ei ole saadaval, palun RFQ

Veosearvestus

40 USA dollarit FedExilt.

Kohale 3-5 päevaga

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Tasuta kohaletoimetamine esimesel 0,5 kg tellimustel üle 150 $, ülekaal tuleb tasuda eraldi

Populaarsed mudelid

See toode on lisatud teie ostukorvi.