FQI7N80TU

MÄRKUS: Rochester Electronics FQI7N80TU on saadaval aadressil chipnets.com. Müüme ainult uut ja originaalosa ning pakume 1-aastast garantiiaega. Kui soovite toodete kohta rohkem teada saada või taotleda paremat hinda, võtke meiega ühendust, klõpsake veebivestlusel või saatke meile hinnapakkumine.

Kõik Eelctronicsi komponendid pakitakse ESD antistaatilise kaitse abil väga turvaliselt sisse.

package

Spetsifikatsioon

Tüüp	Kirjeldus
Seeria	QFET®
Pakett	Bulk
Osa olek	Active
FET tüüp	N-Channel
Tehnoloogia	MOSFET (Metal Oxide)
Alalisvoolu pinge (Vdss)	800 V
Vool - pidev äravool (Id) @ 25 ° C	6.6A (Tc)
Ajami pinge (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5Ohm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Värava laadimine (Qg) (max) @ Vgs	52 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Sisendi mahtuvus (kiss) (max) @ Vds	1.85 pF @ 25 V
FET funktsioon	-
Võimsuse hajumine (max)	3.13W (Ta), 167W (Tc)
Töötemperatuur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp	Through Hole
Tarnija seadme pakett	I2PAK (TO-262)
Pakend / karp	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

OSTUVÕIMALUSED

Laoseis: 388

Minimaalne: 1

Kogus	Ühiku hind	Ext. Hind
Hind ei ole saadaval, palun RFQ

Veosearvestus

40 USA dollarit FedExilt.

Kohale 3-5 päevaga

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Tasuta kohaletoimetamine esimesel 0,5 kg tellimustel üle 150 $, ülekaal tuleb tasuda eraldi

Populaarsed mudelid

	FQI7N10TU Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FQI7N80TU Rochester Electronics
	FQI7P06TU Rochester Electronics
	FQI7N10LTU Rochester Electronics
	FQI7N60TU Rochester Electronics

See toode on lisatud teie ostukorvi.