IPD16CNE8N G

MÄRKUS: IR (Infineon Technologies) IPD16CNE8N G on saadaval aadressil chipnets.com. Müüme ainult uut ja originaalosa ning pakume 1-aastast garantiiaega. Kui soovite toodete kohta rohkem teada saada või taotleda paremat hinda, võtke meiega ühendust, klõpsake veebivestlusel või saatke meile hinnapakkumine.

Kõik Eelctronicsi komponendid pakitakse ESD antistaatilise kaitse abil väga turvaliselt sisse.

package

Spetsifikatsioon

Tüüp	Kirjeldus
Seeria	OptiMOS™
Pakett	Tape & Reel (TR)
Osa olek	Obsolete
FET tüüp	N-Channel
Tehnoloogia	MOSFET (Metal Oxide)
Alalisvoolu pinge (Vdss)	85 V
Vool - pidev äravool (Id) @ 25 ° C	53A (Tc)
Ajami pinge (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16mOhm @ 53A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 61µA
Värava laadimine (Qg) (max) @ Vgs	48 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Sisendi mahtuvus (kiss) (max) @ Vds	3230 pF @ 40 V
FET funktsioon	-
Võimsuse hajumine (max)	100W (Tc)
Töötemperatuur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Paigaldus tüüp	Surface Mount
Tarnija seadme pakett	PG-TO252-3
Pakend / karp	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

OSTUVÕIMALUSED

Laoseis: Kohaletoimetamine samal päeval

Minimaalne: 1

Kogus	Ühiku hind	Ext. Hind
Hind ei ole saadaval, palun RFQ

Veosearvestus

40 USA dollarit FedExilt.

Kohale 3-5 päevaga

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Tasuta kohaletoimetamine esimesel 0,5 kg tellimustel üle 150 $, ülekaal tuleb tasuda eraldi

Populaarsed mudelid

	IPD105N04LGBTMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPD12CN10NG Rochester Electronics
	IPD100N04S402ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPD135N08N3GATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPD180N10N3GATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPD16CNE8N G IR (Infineon Technologies)
	IPD15N06S2L64ATMA2 IR (Infineon Technologies)
	IPD135N03LG Rochester Electronics
	IPD122N10N3GBTMA1 Rochester Electronics
	IPD127N06LGBTMA1 IR (Infineon Technologies)

See toode on lisatud teie ostukorvi.