Rectron USA / RM4N650TI
Pilt on viitamiseks, tegeliku pildi saamiseks võtke meiega ühendust
RM4N650TI
| Tootja osa number: | RM4N650TI |
| Tootja: | Rectron USA |
| Osa kirjeldusest: | MOSFET N-CHANNEL 650V 4A TO220F |
| Pliivaba olek / RoHS staatus: | Pliivaba / RoHS-iga ühilduv |
| Laoseis: | Laos |
| Saatmiskoht: | Hong Kong |
| Saatmisviis: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- MÄRKUS
- Rectron USA RM4N650TI on saadaval aadressil chipnets.com. Müüme ainult uut ja originaalosa ning pakume 1-aastast garantiiaega. Kui soovite toodete kohta rohkem teada saada või taotleda paremat hinda, võtke meiega ühendust, klõpsake veebivestlusel või saatke meile hinnapakkumine.
Kõik Eelctronicsi komponendid pakitakse ESD antistaatilise kaitse abil väga turvaliselt sisse.
Spetsifikatsioon
| Tüüp | Kirjeldus |
|---|---|
| Seeria | - |
| Pakett | Tube |
| Osa olek | Active |
| FET tüüp | N-Channel |
| Tehnoloogia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Alalisvoolu pinge (Vdss) | 650 V |
| Vool - pidev äravool (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) |
| Ajami pinge (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 2.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
| Värava laadimine (Qg) (max) @ Vgs | - |
| Vgs (max) | ±30V |
| Sisendi mahtuvus (kiss) (max) @ Vds | 280 pF @ 50 V |
| FET funktsioon | - |
| Võimsuse hajumine (max) | 28.5W (Tc) |
| Töötemperatuur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Paigaldus tüüp | Through Hole |
| Tarnija seadme pakett | TO-220F |
| Pakend / karp | TO-220-3 Full Pack |
Laoseis: Kohaletoimetamine samal päeval
Minimaalne: 1
| Kogus | Ühiku hind | Ext. Hind |
|---|---|---|
Hind ei ole saadaval, palun RFQ |
||
Veosearvestus
40 USA dollarit FedExilt.
Kohale 3-5 päevaga
Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Tasuta kohaletoimetamine esimesel 0,5 kg tellimustel üle 150 $, ülekaal tuleb tasuda eraldi
Lisatud ostukorvi!
See toode on lisatud teie ostukorvi.