SIRC10DP-T1-GE3

MÄRKUS: Vishay / Siliconix SIRC10DP-T1-GE3 on saadaval aadressil chipnets.com. Müüme ainult uut ja originaalosa ning pakume 1-aastast garantiiaega. Kui soovite toodete kohta rohkem teada saada või taotleda paremat hinda, võtke meiega ühendust, klõpsake veebivestlusel või saatke meile hinnapakkumine.

Kõik Eelctronicsi komponendid pakitakse ESD antistaatilise kaitse abil väga turvaliselt sisse.

package

Spetsifikatsioon

Tüüp	Kirjeldus
Seeria	TrenchFET® Gen IV
Pakett	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Osa olek	Active
FET tüüp	N-Channel
Tehnoloogia	MOSFET (Metal Oxide)
Alalisvoolu pinge (Vdss)	30 V
Vool - pidev äravool (Id) @ 25 ° C	60A (Tc)
Ajami pinge (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA
Värava laadimine (Qg) (max) @ Vgs	36 nC @ 10 V
Vgs (max)	+20V, -16V
Sisendi mahtuvus (kiss) (max) @ Vds	1873 pF @ 15 V
FET funktsioon	Schottky Diode (Body)
Võimsuse hajumine (max)	43W (Tc)
Töötemperatuur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp	Surface Mount
Tarnija seadme pakett	PowerPAK® SO-8
Pakend / karp	PowerPAK® SO-8

OSTUVÕIMALUSED

Laoseis: 5131

Minimaalne: 1

Kogus	Ühiku hind	Ext. Hind
Hind ei ole saadaval, palun RFQ

Veosearvestus

40 USA dollarit FedExilt.

Kohale 3-5 päevaga

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Tasuta kohaletoimetamine esimesel 0,5 kg tellimustel üle 150 $, ülekaal tuleb tasuda eraldi

Populaarsed mudelid

See toode on lisatud teie ostukorvi.