ROHM Semiconductor / R6050JNZ4C13
Pilt on viitamiseks, tegeliku pildi saamiseks võtke meiega ühendust
R6050JNZ4C13
| Tootja osa number: | R6050JNZ4C13 |
| Tootja: | ROHM Semiconductor |
| Osa kirjeldusest: | MOSFET N-CH 600V 50A TO247G |
| Pliivaba olek / RoHS staatus: | Pliivaba / RoHS-iga ühilduv |
| Laoseis: | Laos |
| Saatmiskoht: | Hong Kong |
| Saatmisviis: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- MÄRKUS
- ROHM Semiconductor R6050JNZ4C13 on saadaval aadressil chipnets.com. Müüme ainult uut ja originaalosa ning pakume 1-aastast garantiiaega. Kui soovite toodete kohta rohkem teada saada või taotleda paremat hinda, võtke meiega ühendust, klõpsake veebivestlusel või saatke meile hinnapakkumine.
Kõik Eelctronicsi komponendid pakitakse ESD antistaatilise kaitse abil väga turvaliselt sisse.
Spetsifikatsioon
| Tüüp | Kirjeldus |
|---|---|
| Seeria | - |
| Pakett | Tube |
| Osa olek | Active |
| FET tüüp | N-Channel |
| Tehnoloogia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Alalisvoolu pinge (Vdss) | 600 V |
| Vool - pidev äravool (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
| Ajami pinge (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 83mOhm @ 25A, 15V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 7V @ 5mA |
| Värava laadimine (Qg) (max) @ Vgs | 120 nC @ 15 V |
| Vgs (max) | ±30V |
| Sisendi mahtuvus (kiss) (max) @ Vds | 4500 pF @ 100 V |
| FET funktsioon | - |
| Võimsuse hajumine (max) | 615W (Tc) |
| Töötemperatuur | 150°C (TJ) |
| Paigaldus tüüp | Through Hole |
| Tarnija seadme pakett | TO-247G |
| Pakend / karp | TO-247-3 |
Laoseis: 596
Minimaalne: 1
| Kogus | Ühiku hind | Ext. Hind |
|---|---|---|
Hind ei ole saadaval, palun RFQ |
||
Veosearvestus
40 USA dollarit FedExilt.
Kohale 3-5 päevaga
Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Tasuta kohaletoimetamine esimesel 0,5 kg tellimustel üle 150 $, ülekaal tuleb tasuda eraldi
Populaarsed mudelid
 |
ROHM Semiconductor |
 |
ROHM Semiconductor |
|
ROHM Semiconductor |
Lisatud ostukorvi!
See toode on lisatud teie ostukorvi.