GeneSiC Semiconductor / G3R160MT12D
Pilt on viitamiseks, tegeliku pildi saamiseks võtke meiega ühendust
G3R160MT12D
| Tootja osa number: | G3R160MT12D |
| Tootja: | GeneSiC Semiconductor |
| Osa kirjeldusest: | SIC MOSFET N-CH 22A TO247-3 |
| Pliivaba olek / RoHS staatus: | Pliivaba / RoHS-iga ühilduv |
| Laoseis: | Laos |
| Saatmiskoht: | Hong Kong |
| Saatmisviis: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- MÄRKUS
- GeneSiC Semiconductor G3R160MT12D on saadaval aadressil chipnets.com. Müüme ainult uut ja originaalosa ning pakume 1-aastast garantiiaega. Kui soovite toodete kohta rohkem teada saada või taotleda paremat hinda, võtke meiega ühendust, klõpsake veebivestlusel või saatke meile hinnapakkumine.
Kõik Eelctronicsi komponendid pakitakse ESD antistaatilise kaitse abil väga turvaliselt sisse.
Spetsifikatsioon
| Tüüp | Kirjeldus |
|---|---|
| Seeria | G3R™ |
| Pakett | Tube |
| Osa olek | Active |
| FET tüüp | N-Channel |
| Tehnoloogia | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Alalisvoolu pinge (Vdss) | 1200 V |
| Vool - pidev äravool (Id) @ 25 ° C | 22A (Tc) |
| Ajami pinge (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 192mOhm @ 10A, 15V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.69V @ 5mA |
| Värava laadimine (Qg) (max) @ Vgs | 28 nC @ 15 V |
| Vgs (max) | ±15V |
| Sisendi mahtuvus (kiss) (max) @ Vds | 730 pF @ 800 V |
| FET funktsioon | - |
| Võimsuse hajumine (max) | 123W (Tc) |
| Töötemperatuur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Paigaldus tüüp | Through Hole |
| Tarnija seadme pakett | TO-247-3 |
| Pakend / karp | TO-247-3 |
Laoseis: 535
Minimaalne: 1
| Kogus | Ühiku hind | Ext. Hind |
|---|---|---|
Hind ei ole saadaval, palun RFQ |
||
Veosearvestus
40 USA dollarit FedExilt.
Kohale 3-5 päevaga
Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Tasuta kohaletoimetamine esimesel 0,5 kg tellimustel üle 150 $, ülekaal tuleb tasuda eraldi
Populaarsed mudelid
 |
GeneSiC Semiconductor |
 |
GeneSiC Semiconductor |
 |
GeneSiC Semiconductor |
 |
GeneSiC Semiconductor |
Lisatud ostukorvi!
See toode on lisatud teie ostukorvi.