BSZ110N06NS3GATMA1

MÄRKUS: IR (Infineon Technologies) BSZ110N06NS3GATMA1 on saadaval aadressil chipnets.com. Müüme ainult uut ja originaalosa ning pakume 1-aastast garantiiaega. Kui soovite toodete kohta rohkem teada saada või taotleda paremat hinda, võtke meiega ühendust, klõpsake veebivestlusel või saatke meile hinnapakkumine.

Kõik Eelctronicsi komponendid pakitakse ESD antistaatilise kaitse abil väga turvaliselt sisse.

package

Spetsifikatsioon

Tüüp	Kirjeldus
Seeria	OptiMOS™
Pakett	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Osa olek	Active
FET tüüp	N-Channel
Tehnoloogia	MOSFET (Metal Oxide)
Alalisvoolu pinge (Vdss)	60 V
Vool - pidev äravool (Id) @ 25 ° C	20A (Tc)
Ajami pinge (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 23µA
Värava laadimine (Qg) (max) @ Vgs	33 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Sisendi mahtuvus (kiss) (max) @ Vds	2700 pF @ 30 V
FET funktsioon	-
Võimsuse hajumine (max)	2.1W (Ta), 50W (Tc)
Töötemperatuur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp	Surface Mount
Tarnija seadme pakett	PG-TSDSON-8
Pakend / karp	8-PowerVDFN

OSTUVÕIMALUSED

Laoseis: 21581

Minimaalne: 1

Kogus	Ühiku hind	Ext. Hind
Hind ei ole saadaval, palun RFQ

Veosearvestus

40 USA dollarit FedExilt.

Kohale 3-5 päevaga

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Tasuta kohaletoimetamine esimesel 0,5 kg tellimustel üle 150 $, ülekaal tuleb tasuda eraldi

Populaarsed mudelid

	BSZ130N03LSGATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSZ120P03NS3EGATMA1 Rochester Electronics
	BSZ130N03MSG Rochester Electronics
	BSZ110N06NS3GATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSZ16DN25NS3GATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSZ105N04NSGATMA1 Rochester Electronics
	BSZ160N10NS3GATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSZ12DN20NS3GATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSZ100N06LS3GATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSZ180P03NS3EGATMA1 IR (Infineon Technologies)

See toode on lisatud teie ostukorvi.