BSB012NE2LXIXUMA1

MÄRKUS: IR (Infineon Technologies) BSB012NE2LXIXUMA1 on saadaval aadressil chipnets.com. Müüme ainult uut ja originaalosa ning pakume 1-aastast garantiiaega. Kui soovite toodete kohta rohkem teada saada või taotleda paremat hinda, võtke meiega ühendust, klõpsake veebivestlusel või saatke meile hinnapakkumine.

Kõik Eelctronicsi komponendid pakitakse ESD antistaatilise kaitse abil väga turvaliselt sisse.

package

Spetsifikatsioon

Tüüp	Kirjeldus
Seeria	OptiMOS™
Pakett	Tape & Reel (TR)
Osa olek	Active
FET tüüp	N-Channel
Tehnoloogia	MOSFET (Metal Oxide)
Alalisvoolu pinge (Vdss)	25 V
Vool - pidev äravool (Id) @ 25 ° C	170A (Tc)
Ajami pinge (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Värava laadimine (Qg) (max) @ Vgs	82 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Sisendi mahtuvus (kiss) (max) @ Vds	5852 pF @ 12 V
FET funktsioon	-
Võimsuse hajumine (max)	2.8W (Ta), 57W (Tc)
Töötemperatuur	-40°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp	Surface Mount
Tarnija seadme pakett	MG-WDSON-2, CanPAK M™
Pakend / karp	3-WDSON

OSTUVÕIMALUSED

Laoseis: Kohaletoimetamine samal päeval

Minimaalne: 1

Kogus	Ühiku hind	Ext. Hind
Hind ei ole saadaval, palun RFQ

Veosearvestus

40 USA dollarit FedExilt.

Kohale 3-5 päevaga

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Tasuta kohaletoimetamine esimesel 0,5 kg tellimustel üle 150 $, ülekaal tuleb tasuda eraldi

Populaarsed mudelid

	BSB012NE2LXIXUMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSB044N08NN3GXUMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSB056N10NN3GXUMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSB028N06NN3GXUMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSB008NE2LXXUMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSB015N04NX3GXUMA1 Rochester Electronics
	BSB019N03LX G IR (Infineon Technologies)
	BSB012NE2LX IR (Infineon Technologies)
	BSB014N04LX3GXUMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSB024N03LX G IR (Infineon Technologies)

See toode on lisatud teie ostukorvi.