BSZ042N04NSG

MÄRKUS: Rochester Electronics BSZ042N04NSG on saadaval aadressil chipnets.com. Müüme ainult uut ja originaalosa ning pakume 1-aastast garantiiaega. Kui soovite toodete kohta rohkem teada saada või taotleda paremat hinda, võtke meiega ühendust, klõpsake veebivestlusel või saatke meile hinnapakkumine.

Kõik Eelctronicsi komponendid pakitakse ESD antistaatilise kaitse abil väga turvaliselt sisse.

package

Spetsifikatsioon

Tüüp	Kirjeldus
Seeria	OptiMOS™ 3
Pakett	Bulk
Osa olek	Active
FET tüüp	N-Channel
Tehnoloogia	MOSFET (Metal Oxide)
Alalisvoolu pinge (Vdss)	40 V
Vool - pidev äravool (Id) @ 25 ° C	40A (Tc)
Ajami pinge (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 36µA
Värava laadimine (Qg) (max) @ Vgs	46 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Sisendi mahtuvus (kiss) (max) @ Vds	3700 pF @ 20 V
FET funktsioon	-
Võimsuse hajumine (max)	2.1W (Ta), 69W (Tc)
Töötemperatuur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp	Through Hole
Tarnija seadme pakett	TO-220AB
Pakend / karp	TO-220-3

OSTUVÕIMALUSED

Laoseis: 47574

Minimaalne: 1

Kogus	Ühiku hind	Ext. Hind
Hind ei ole saadaval, palun RFQ

Veosearvestus

40 USA dollarit FedExilt.

Kohale 3-5 päevaga

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Tasuta kohaletoimetamine esimesel 0,5 kg tellimustel üle 150 $, ülekaal tuleb tasuda eraldi

Populaarsed mudelid

	BSZ036NE2LSATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSZ0901NSATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSZ031NE2LS5ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSZ0589NSATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSZ042N04NSG Rochester Electronics
	BSZ018NE2LSIATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSZ097N04LSGATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSZ0803LSATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSZ021N04LS6ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSZ040N04LSGATMA1 IR (Infineon Technologies)

See toode on lisatud teie ostukorvi.