SIHB20N50E-GE3

MÄRKUS: Vishay / Siliconix SIHB20N50E-GE3 on saadaval aadressil chipnets.com. Müüme ainult uut ja originaalosa ning pakume 1-aastast garantiiaega. Kui soovite toodete kohta rohkem teada saada või taotleda paremat hinda, võtke meiega ühendust, klõpsake veebivestlusel või saatke meile hinnapakkumine.

Kõik Eelctronicsi komponendid pakitakse ESD antistaatilise kaitse abil väga turvaliselt sisse.

package

Spetsifikatsioon

Tüüp	Kirjeldus
Seeria	-
Pakett	Bulk
Osa olek	Active
FET tüüp	N-Channel
Tehnoloogia	MOSFET (Metal Oxide)
Alalisvoolu pinge (Vdss)	500 V
Vool - pidev äravool (Id) @ 25 ° C	19A (Tc)
Ajami pinge (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	184mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Värava laadimine (Qg) (max) @ Vgs	92 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Sisendi mahtuvus (kiss) (max) @ Vds	1640 pF @ 100 V
FET funktsioon	-
Võimsuse hajumine (max)	179W (Tc)
Töötemperatuur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp	Surface Mount
Tarnija seadme pakett	D²PAK (TO-263)
Pakend / karp	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

OSTUVÕIMALUSED

Laoseis: 718

Minimaalne: 1

Kogus	Ühiku hind	Ext. Hind
Hind ei ole saadaval, palun RFQ

Veosearvestus

40 USA dollarit FedExilt.

Kohale 3-5 päevaga

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Tasuta kohaletoimetamine esimesel 0,5 kg tellimustel üle 150 $, ülekaal tuleb tasuda eraldi

Populaarsed mudelid

See toode on lisatud teie ostukorvi.