NDBA100N10BT4H

MÄRKUS: Rochester Electronics NDBA100N10BT4H on saadaval aadressil chipnets.com. Müüme ainult uut ja originaalosa ning pakume 1-aastast garantiiaega. Kui soovite toodete kohta rohkem teada saada või taotleda paremat hinda, võtke meiega ühendust, klõpsake veebivestlusel või saatke meile hinnapakkumine.

Kõik Eelctronicsi komponendid pakitakse ESD antistaatilise kaitse abil väga turvaliselt sisse.

package

Spetsifikatsioon

Tüüp	Kirjeldus
Seeria	-
Pakett	Bulk
Osa olek	Obsolete
FET tüüp	N-Channel
Tehnoloogia	MOSFET (Metal Oxide)
Alalisvoolu pinge (Vdss)	100 V
Vool - pidev äravool (Id) @ 25 ° C	100A (Ta)
Ajami pinge (Max Rds On, Min Rds On)	10V, 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.9mOhm @ 50A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Värava laadimine (Qg) (max) @ Vgs	35 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Sisendi mahtuvus (kiss) (max) @ Vds	2.95 pF @ 50 V
FET funktsioon	-
Võimsuse hajumine (max)	110W (Tc)
Töötemperatuur	175°C (TJ)
Paigaldus tüüp	Surface Mount
Tarnija seadme pakett	D²PAK (TO-263)
Pakend / karp	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

OSTUVÕIMALUSED

Laoseis: 16071

Minimaalne: 1

Kogus	Ühiku hind	Ext. Hind
Hind ei ole saadaval, palun RFQ

Veosearvestus

40 USA dollarit FedExilt.

Kohale 3-5 päevaga

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Tasuta kohaletoimetamine esimesel 0,5 kg tellimustel üle 150 $, ülekaal tuleb tasuda eraldi

Populaarsed mudelid

	NDBA100N10BT4H Rochester Electronics
	NDBA180N10BT4H Rochester Electronics
	NDBA170N06AT4H Rochester Electronics

See toode on lisatud teie ostukorvi.