NJX1675PDR2G

Tootja osa number:	NJX1675PDR2G
Tootja:	Rochester Electronics
Osa kirjeldusest:	POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
Andmelehed:	NJX1675PDR2G Andmelehed
Pliivaba olek / RoHS staatus:	Pliivaba / RoHS-iga ühilduv
Laoseis:	Laos
Saatmiskoht:	Hong Kong
Saatmisviis:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

MÄRKUS: Rochester Electronics NJX1675PDR2G on saadaval aadressil chipnets.com. Müüme ainult uut ja originaalosa ning pakume 1-aastast garantiiaega. Kui soovite toodete kohta rohkem teada saada või taotleda paremat hinda, võtke meiega ühendust, klõpsake veebivestlusel või saatke meile hinnapakkumine.

Kõik Eelctronicsi komponendid pakitakse ESD antistaatilise kaitse abil väga turvaliselt sisse.

package

Spetsifikatsioon

Tüüp	Kirjeldus
Seeria	-
Pakett	Bulk
Osa olek	Obsolete
Transistori tüüp	NPN, PNP
Praegune - koguja (Ic) (max)	3A
Pinge - kollektori emitteri jaotus (max)	30V
Vce küllastus (max) @ Ib, Ic	115mV @ 200mA, 2A, 170mV @ 200mA, 2A
Praegune - kollektori piiraja (max)	100nA (ICBO)
Alalisvoolu võimendus (hFE) (min) @ Ic, Vce	180 @ 1A, 2V
Võimsus - max	2W
Sagedus - üleminek	100MHz, 120MHz
Töötemperatuur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp	Surface Mount
Pakend / karp	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tarnija seadme pakett	8-SOIC

OSTUVÕIMALUSED

Laoseis: 239921

Minimaalne: 1

Kogus	Ühiku hind	Ext. Hind
Hind ei ole saadaval, palun RFQ

Veosearvestus

40 USA dollarit FedExilt.

Kohale 3-5 päevaga

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Tasuta kohaletoimetamine esimesel 0,5 kg tellimustel üle 150 $, ülekaal tuleb tasuda eraldi

Populaarsed mudelid

	NJX1675PDR2G Rochester Electronics

See toode on lisatud teie ostukorvi.